2021年第68回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[16p-Z25-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2021年3月16日(火) 13:30 〜 16:15 Z25 (Z25)

森 伸也(阪大)、蓮沼 隆(筑波大)

13:30 〜 13:45

[16p-Z25-1] 気相中酸化グラフェンアシストシリコンエッチング

窪田 航1、宇都宮 徹1、一井 崇1、杉村 博之1 (1.京大院工)

キーワード:シリコンエッチング、酸化グラフェン、触媒

シリコン表面微細加工技術の一つとして,貴金属や炭素材料を触媒として用いたアシストエッチングが盛んに研究されている.その中でも近年気相中におけるアシストエッチングが注目されている.今回我々は酸化グラフェンアシストエッチングへの気相法の適用を試みた.気相中エッチング後の酸化グラフェン被覆シリコン表面にはシート状の孔が形成されたことから,気相中でもアシストエッチングが可能であることが示された.