[16p-Z26-1~15] CS.5 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

[16p-Z26-3] 大容量低消費電力メモリ応用に向けたMoS₂チャネルを有するHfO₂系強誘電体トランジスタの実験実証

〇(M2)項 嘉文¹、張 文馨²、更屋 拓哉¹、入沢 寿史²、平本 俊郎¹、小林 正治¹ (1.東大生研、2.産総研)

キーワード：強誘電体、不揮発性メモリ、二硫化モリブデン

これまでに報告されたポリシリコンチャネルを備えた三次元積層構造型FeFETは低移動度、強誘電体絶縁膜とチャネルの間に形成される低誘電率界面層による電荷トラップや電圧降下などが課題となっている。そこで極薄MoS₂チャネルとHfZrO₂を備えたFeFETを提案し、界面形成にはダングリングボンドがなく、良好なMOS界面の形成が期待され、低誘電率界面層の形成と電荷トラップの影響を抑制でき、MoS₂チャネルの三次元積層型FeFETへの応用可能性を示す。