[16p-Z32-1~16] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[16p-Z32-2] プレーナ型Si熱電発電デバイスの金属導熱路構造が発電性能に与える影響

〇柏崎 翼¹、富田 基裕¹、平尾 修平¹、田邉 咲華¹、片山 和明¹、松木 武雄²、渡邉 孝信¹ (1.早大理工、2.産総研)

キーワード：熱電、シリコンワイヤ、熱伝導

我々は、Siワイヤを使用したキャビティフリーのプレーナ型マイクロTEジェネレーター（µ-TEG）の開発を進めている。これまで、層間絶縁膜の有無や、基板に熱流を注入する導熱路(Heat Guide; HG)構造の熱電（TE）パワーへの影響をシミュレーションを用いて検討しており、本研究ではこれまでの結果を実験的に検証した。今回、HGが厚くなるにつれTEパワーが増大すること、層間絶縁膜によりTEパワーは減少することがわかった。この結果は、層間絶縁膜のあるμ-TEGの性能を向上させる上で、HG構造の厚さ制御がきわめて重要であることを示している。