[17a-Z03-1~10] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [17a-Z03-1] 絶縁体半導体界面近傍に形成されるプラズマ誘起欠陥のアドミタンスモデル解析

〇久山 智弘^1,2、占部 継一郎¹、江利口 浩二¹ (1.京大院工、2.学振特別研究員DC)

キーワード：プラズマ誘起ダメージ、ボーダートラップ、シリコン窒化膜

半導体絶縁体界面近傍に存在する欠陥は，電子デバイス動作時にノイズ増大や信頼性劣化を引き起こすことが知られている．本研究ではプラズマプロセス中に絶縁膜中の界面近傍に形成される欠陥（ボーダートラップ）に着目し，等価回路モデルを用いてArとHeプラズマ曝露により形成される欠陥の違いを比較した．各プラズマに曝露したSiN膜のアドミタンスの周波数依存性を等価回路モデルで再現し，ボーダートラップの詳細を解析した．