[17a-Z28-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[17a-Z28-7] SiC (000-1)面エピにおけるキャロット欠陥の挙動

〇榎薗 太郎¹、宮瀬 貴也¹、西原 弘樹¹、近藤 哲郎¹、伊東 洋典¹、堀 勉¹、古米 正樹¹ (1.住友電気工業株式会社)

キーワード：炭化珪素、エピ成長、キャロット欠陥

(000-1)面にエピ成長を行い、同一基板にそのまま2回目のエピ成長を行った。その後研磨によりエピ層を除去し、再度同じ条件でエピ成長 (再エピ) した。それぞれのエピ成長後のタイミングで欠陥の調査を行い、キャロット欠陥の挙動を確認したところ、2回目のエピで新規に発生するキャロット欠陥はない、研磨を行うとキャロット欠陥が発生する場所が変わることが判明した。