[17a-Z29-1~10] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

△ [17a-Z29-9] X線非弾性散乱法によるBulk SiGeフォノンスペクトルの線幅測定

〇横川 凌^1,2、竹内 悠希¹、原 豊¹、荒井 康智³、米永 一郎⁴、Sylvia Yuk Yee Chung⁵、富田 基裕⁵、内山 裕士⁶、渡邉 孝信⁵、小椋 厚志^1,2 (1.明治大理工、2.MREL、3.JAXA、4.東北大学、5.早稲田大理工、6.JASRI)

キーワード：SiGe、X線非弾性散乱、フォノン

SiGeはSi、Geに較べ熱伝導率が顕著に低くなることから、次世代熱電発電デバイスへの応用に期待されるが熱伝導率低下のメカニズムの解明にはフォノン散乱、分散曲線の理解が極めて重要である。本研究では、熱伝導の微視的機構を理解する上で重要な要素の一つであるフォノン寿命を詳細に把握するためにフォノンスペクトル線幅の測定をX線非弾性散乱法で実施し、Si、Geと異なる振る舞いを確認したので報告する。