[17p-Z28-1~14] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[17p-Z28-4] InGaAs/GaAsP多重量子井戸の発光に対するGaAs中間層膜厚の影響

〇日野 眞生¹、浅見 明太¹、渡辺 健太郎²、中野 義昭¹、杉山 正和^1,2 (1.東大工、2.東大先端研)

キーワード：量子井戸、ヘテロ界面、フォトルミネッセンス

InGaAs/GaAsP歪み補償多重量子井戸の結晶成長において、欠陥が導入されやすい圧縮/伸長歪み層の界面処理が、発光効率の向上には重要である。無歪みのGaAs中間層の挿入が効果的とされているが、中間層の厚みがMQW内の発光再結合効率に与える影響は明らかではない。本研究では、InGaAs井戸層の上または下に中間層を挿入し、その厚みを変えInGaAs/GaAsPのMQW10層を有機金属結晶成長法により作製し、発光強度を評価した。