[17p-Z33-1~8] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[17p-Z33-6] Si(110)基板上への組成傾斜SiGe層形成法に関する研究

〇堀内 未希¹、斎藤 慎吾¹、原 康介¹、山中 淳二¹、有元 圭介¹ (1.山梨大工)

キーワード：結晶成長、歪みシリコン、シリコンゲルマニウム

先行研究より、Si(110)基板上にSiGeを歪み緩和バッファ層として形成した歪みSi p-MOSFETでは高い実効正孔移動度が得られている。しかし、表面平坦性に改善の余地があり、平坦性を向上させることにより更に高い正孔移動度を期待できる。そこで本研究では、組成傾斜SiGe層の形成法としてGe組成を連続的に変化させていく方法を試み、階段組成傾斜法との比較を行った。