2021年第68回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[18a-Z15-1~10] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2021年3月18日(木) 09:15 〜 12:00 Z15 (Z15)

赤澤 正道(北大)

11:45 〜 12:00

[18a-Z15-10] 酸素イオン注入によりn型GaN中に形成される電子トラップ

〇(M1)柴田 優一1、堀田 昌宏1,2、田中 亮3、高島 信也3、上野 勝典3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.富士電機)

キーワード：GaN、イオン注入、DLTS