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[18a-Z20-4] SBT系強誘電体によるFeFETの特徴 — HfO2系FeFETとの比較
キーワード:強誘電体トランジスタ、SBT、強誘電体薄膜
SBT系FeFETはダミーゲートプロセスを用いることにより100nm以細のスケーリングについての見通しが立つようになった。SBT系FeFETは、書換え耐性が優れデータ書換え可能回数は108回以上を常時示してきた。HfO2系FeFETは、 メモリウィンドウは広いがデータデータ書換え可能回数は105回程度である。SBT系とHfO2系のFeFETを比較する。特に書換え可能回数の違いが生じる理由を論じる。