[18a-Z21-1~4] CS.2 3.5 レーザー装置・材料、3.14 光制御デバイス・光ファイバーのコードシェアセッション

△ [18a-Z21-2] 常温接合を用いた GaAs プレート多数枚積層擬似位相整合 中赤外波長変換デバイスの高品質化III

〇高橋 勇輝¹、谷本 里香¹、庄司 一郎¹ (1.中央大学)

キーワード：波長変換、疑似位相整合、常温接合

GaAs は中赤外波長変換材料として極めて有望である。しかしながら，GaAs は光学的に等方的であるため，波長変換を高効率で行うためには擬似位相整合(QPM)が必須となる。我々は常温接合を用いてQPM構造の作製を行っているが，これまでの方法ではデバイス面内での透過率のバラつきが大きく，透過率の高い部分が限られていた。その原因を特定し，新たな方法を考案したことで，透過率の場所依存性を小さくすることに成功した。