[18a-Z29-1~8] 16.3 シリコン系太陽電池

[18a-Z29-1] RPD誘起欠陥の熱処理による濃度変化

〇(D)原 知彦¹、田中 汰一¹、大下 祥雄¹ (1.豊田工大)

キーワード：反応性プラズマ蒸着法、深準位過渡応答分光法、SiO2/Si界面

反応性プラズマ蒸着法（RPD）を経ることでSiO₂/Siか界面及びその近傍に再結合活性な欠陥が導入される。本研究では、複数種類導入されるRPD誘起欠陥各種の熱処理による濃度変化を調べた。ミッドギャップ近傍の欠陥準位に対応したDLTSスペクトルピーク部と、連続準位に対応したスペクトル裾野部の信号強度は200℃10分の熱処理により減少すると共に相対強度も変化した。これは欠陥種によって熱処理による回復の仕方が異なることを示している。