[18p-Z05-1~16] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[18p-Z05-1] 高温動作SiC相補型JFET論理ゲートの論理閾値電圧の温度変化抑制に関する理論的検討

〇金子 光顕¹、中島 誠志¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：炭化ケイ素、相補型、接合型トランジスタ

SiC JFETは酸化膜をデバイス構造に使用しておらず、高温環境で動作可能な論理回路形成用の素子として有望視されている。これまで、nJFETとpJFETを組み合わせた相補型JFETによる集積回路の作製を提案しており、イオン注入によるnJFETおよびpJFETの同一基板上への作製とその400℃動作を報告した。実際に相補型論理ゲートを作製するにあたり、論理閾値電圧は動作時のノイズマージンを決定する重要な特性であるが、一般に、温度変化に伴い論理閾値電圧のシフトが生じる。今回、最も簡単な論理ゲートであるインバータについて論理閾値電圧の温度依存性について理論的検討を行い、その温度変化を抑制する設計指針について考察を行ったため報告する。