[18p-Z05-1~16] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[18p-Z05-14] SiC 基板表面の熱酸化速度：酸素圧力依存性

〇室野 優太¹、佐藤 聖能¹、郡山 春人¹、遠田 義晴¹ (1.弘前大院理工)

キーワード：酸化速度、圧力依存、XPS

SiC 表面の熱酸化は、MOSFET 集積回路の絶縁体薄膜高品質化において重要であり、精力的に研究されている。今回は、初期酸化の振る舞いを詳しく調べるため、酸化剤である酸素圧力を減圧し、酸化速度の変化を、Si 面、C 面それぞれでX 線光電子分光（XPS）により測定した。両面での酸化速度の圧力依存性に顕著な特徴があったので、その結果を報告する。