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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物（SiC）

[18p-Z05-1~16] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2021年3月18日(木) 13:30 〜 18:00 Z05 (Z05)

細井卓治(阪大)、竹内和歌奈(愛工大)、平井悠久(産総研)

14:30 〜 14:45

△ [18p-Z05-5] 様々なボディ層ドナー密度を有する 4H-SiC(0001) pチャネルMOSFETのチャネル移動度評価

〇三上杏太¹、伊藤滉二¹、立木馨大¹、木本恒暢¹ (1.京大工)

キーワード：SiC、MOS、MOSFET