[19a-Z05-1~10] 3.14 光制御デバイス・光ファイバー

[19a-Z05-8] Hot-wire CVD法による厚膜SiNを用いた低損失リング共振器作製

〇(M2)半田 浩一朗¹、曽田 昇汰¹、古澤 健太郎²、青木 画奈²、関根 徳彦²、柳澤 亮人³、石田 悟己³、野村 政宏³、岩本 敏³、田邉 孝純¹ (1.慶大理工、2.情通機構、3.東大生研)

キーワード：リング共振器、シリコンナイトライド、低温堆積

窒化シリコン (SiN) はCMOSコンパチブルな材料かつ可視光から近赤外線波長領域において透明であり，広帯域かつ低損失な光集積デバイスを作製する上で魅力的なプラットフォームである．しかしSiNは光通信波長帯において正常分散を呈するため，異常分散を得るには，シリカをクラッドとして膜厚700 nm以上が必要となる．本報告では低温堆積法であるhot-wire CVD法で成膜した厚膜SiN膜 (750 nm) を用いて光リング共振器を作製し，評価したので報告する．