[19a-Z24-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[19a-Z24-9] ミニマルイオン注入装置のデバイスプロセスへの適用の検討

〇三浦 典子¹、橋本 直樹^2,1、北村 是尊^2,1、居村 史人³、古賀 和博¹、佐藤 和重¹、石田 夕起^3,1、クンプアン ソマワン^3,1、原 史朗^3,1 (1.ミニマルファブ推進機構、2.フジインバック、3.産総研)

キーワード：ミニマルファブ、イオン注入

ミニマルファブでは、これまでに熱拡散法を用いたTiNゲートSOI CMOSをベースとした集積回路やオペアンプを行ってきたが、今後、トランジスタの微細化による高集積化を行う上で、イオン注入プロセスは必須となる。本研究では、現状のミニマルイオン注入装置のデバイスプロセスへの適用性について、注入量、注入ばらつきなどを中心に議論する。