[19p-P06-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-P06-3] 水素イオン注入n⁺pGaNのo.88 eV正孔トラップに対する順電流通電効果

〇徳田 豊¹、吉田 光¹、冨田 一義²、加地 徹²、伊藤 成志³、八木 孝秀³ (1.愛知工大、2.名古屋大学、3.住重アテックス)

キーワード：ｐ形窒化ガリウム、トラップ

MOVPE成長GaNでは、0.88 eV 正孔トラップ(H_d)が主トラップとして観測され、窒素位置炭素(C_N)と同定されている。今回、GaN基板上n⁺p GaNに水素イオン注入した試料を用い、DLTS測定によりp-GaNのH_dトラップに対する順電流通電について検討した。注入後、H_dトラップDLTS信号が減少した。また、200~340 Kでの1000 s通電により、H_d信号が増加することが分かった。注入後のH_dトラップの減少は、注入欠陥と炭素の複合体形成を示唆している。順電流通電効果の機構解明とともに、どのような複合体の形成が考えられるかの検討を行っている。