[19p-P06-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-P06-7] 高速スイッチング向け600V縦型GaN-DMOSFETの低オン抵抗化検討

〇稲本 拓朗¹、福島 悠太¹、田中 亮¹、上野 勝典¹、高島 信也¹、江戸 雅晴¹ (1.富士電機株式会社)

キーワード：GaN、パワーデバイス、MOSFET

高速かつ大容量動作に期待される縦型GaN-DMOSFETの低オン抵抗化検討を行った。ドリフト層とJFET領域のドナー濃度条件を検討した結果、600V帯においてRonA 1 mΩcm²以下を実現可能と見通せることが分かった。