[19p-Z13-1~14] 6.1 強誘電体薄膜

[19p-Z13-3] TiNバッファ層を用いたSi基板上へのAl_1-xSc_xN薄膜のエピタキシャル成長

〇宮地 航平¹、村瀬 幹生¹、吉村 武¹、藤村 紀文¹ (1.阪府大工)

キーワード：AlScN、エピタキシャル

近年、Al_1-xSc_xN(AlScN)薄膜において、圧電定数の増加、強誘電性の発現が報告され、注目されている。AlScN薄膜は大きな内部応力を持つことが知られており、また先行研究の殆どが配向膜に関するものである。エピタキシャル薄膜では、格子歪により応力制御できることが知られているが、AlScN薄膜での報告は少ない。そこで本研究では、RFマグネトロンスパッタ法によりAlScNの(111)Si上へのエピタキシャル成長に取り組んだ。