[19p-Z14-1~18] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [19p-Z14-15] Ni/Ta₂O₅/TiN素子におけるデジタルおよびアナログ抵抗変化

〇(D)宮谷 俊輝¹、山田 和尚¹、木本 恒暢¹、西 佑介^1,2 (1.京大院工、2.舞鶴高専)

キーワード：抵抗変化メモリ、酸化物

本研究では、Ni/Ta₂O₅/TiN積層構造を有する素子の抵抗変化特性について調べた。同一の素子において、異なる二種類の抵抗変化特性が発現した。初期状態の素子をフォーミングさせると、その後の電圧印加により急峻な変化を有するデジタル抵抗変化特性を示した。一方で、フォーミングをさせず、初期状態の素子への電圧印加により特殊な状態へ遷移した素子は、その後の電圧印加により緩やかな変化を有するアナログ抵抗変化特性を示した。素子の電気的特性およびTa₂O₅層の酸素空孔の分布などから、それぞれの動作モデルについて議論する予定である。