A study on the low voltage operation of pentacene-based organic floating-gate memory utilizing N-doped LaB6/LaBxNy stacked layer

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

2021年3月19日(金) 13:30 〜 16:15 Z15 (Z15)

16:00 〜 16:15

〇(DC)KyungEun Park¹、EunKi Hong¹、Hideki Kamata¹、Shun-ichiro Ohmi¹ (1.Tokyo Tech.)

キーワード：N-doped LaB6, Organic Floating-gate memory, RF sputtering