[19p-Z15-1~11] 6.4 薄膜新材料

[19p-Z15-4] エピタキシャル歪みによるCo,Ge置換Lu₃Fe₅O₁₂薄膜のスピンクラスターグラス特性制御

〇寺尾 健裕¹、山原 弘靖¹、田畑 仁¹ (1.東京大工)

キーワード：スピングラス

スピングラスはスピンのランダムネスとフラストレーションの磁気相関により、低温でスピン凍結状態をとる物質である。スピン凍結状態ではメモリ効果やエージング現象と呼ばれる特徴的な磁気記憶を示し、興味深い性質として注目されている。本研究ではスピン波/電圧変換材料としての応用が期待されている希土類鉄ガーネットを対象とし、異方性Co²⁺と非磁性Ge⁴⁺の元素置換によりスピンクラスターグラス相を実現したLu₃Fe_4.8Co_0.1Ge_0.1O₁₂ (LFCG)薄膜を作製した。その結果、結晶膜厚を変化させることで結晶構造を制御し、正方晶から格子緩和させることでスピン凍結温度幅は減少する一方、スピン凍結温度を上げられることが明らかとなった。