2021年第68回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-Z25-1~14] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2021年3月19日(金) 13:00 〜 16:45 Z25 (Z25)

加藤 正史(名工大)

13:00 〜 13:15

[19p-Z25-1] 高抵抗GaN基板上GaNチャネルHEMTの電気特性

〇星 拓也1、吉屋 佑樹1、杉山 弘樹1、松崎 秀昭1 (1.NTT先端集積デバイス研)

キーワード：高抵抗GaN基板、GaNチャネルHEMT