[19p-Z25-1~14] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [19p-Z25-10] HBr中性粒子ビームによるGaN/SiNの原子層選択エッチング

〇(M1)澤田 尭廣¹、大堀 大介¹、菅原 健太³、岡田 政也³、中田 健³、井上 和孝³、佐藤 大輔⁴、寒川 誠二^1,2 (1.東北大学流体研、2.東北大学 AIMR、3.住友電工、4.昭和電工)

キーワード：GaN、エッチング、中性粒子ビーム

GaN高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT)はAI・IoT社会の発展に必要不可欠な第5世代無線基地局(5G)通信による高速・高信頼ネットワーク形成へ期待されている。プロセス時のSiN/GaN積層膜エッチング時のGaN層減少やGaN層表面への損傷が、デバイス性能や信頼性を低下させる原因となっていると指摘されている。そこで、本研究ではHBr中性粒子ビームを用いたGaNとSiNの原子層における選択的エッチングを検討し、Cl2NBを用いた場合と選択性の比較を行った。