[19p-Z25-1~14] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-Z25-12] ラマン分光法によるGaN/ダイヤモンド接合界面の残留応力評価

〇小林 礼佳¹、清水 康雄²、大野 裕²、金 聖祐³、小山 浩司³、嘉数 誠⁴、重川 直輝¹、梁 剣波¹ (1.大阪市大院工、2.東北大金研、3.アダマンド並木精密宝石(株)、4.佐賀大院工)

キーワード：窒化ガリウム