[19p-Z33-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [19p-Z33-4] プラズマ支援分子線堆積法によるフレキシブル基板上へのGZO透明導電膜の形成と評価 (6)

〇佐野 準之助¹、佐藤 陽平¹、井出 雄太¹、吉田 千博¹、村中 司¹、鍋谷 暢一¹、松本 俊¹ (1.山梨大工)

キーワード：酸化亜鉛、透明導電膜、フレキシブル

本研究グループは、これまでに、低温・低損傷プロセスであるプラズマ支援分子線堆積(PAMBD)法を用いて各種フレキシブル基板上へのGa添加ZnO (GZO)透明導電膜の形成と評価を行ってきた。今回の発表では、基本となる酸素(O₂)ガスに加え、他のガス(Kr, N₂,…)を添加した場合の薄膜形成条件の検討ならびに構造特性、光学的および電気的特性を詳細に評価した結果を報告する。