一般セッション(口頭講演)

[11a-D7-1~11] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

2015年3月11日(水) 09:00 〜 12:00 D7 (16-207)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

△ [11a-D7-1] GGA+U 法による Si_1-xSn_x材料物性の精密予測

〇長江祐樹¹、黒澤昌志^1,²、加藤元太¹、柴山茂久^1,³、中塚理¹、財満鎭明^1,⁴ (1.名大院工, 2.学振PD, 3.学振DC, 4.名大エコトピア)

11:45 〜 12:00

[11a-D7-11] 熱電素子応用を目指したGeSn単結晶薄膜の熱物性評価

〇黒澤昌志^1,²、福田雅大¹、高橋恒太¹、坂下満男¹、中塚理¹、財満鎭明^1,³ (1.名大院工, 2.学振PD, 3.名大エコトピア)

09:15 〜 09:30

[11a-D7-2] 太陽電池用GeSnC混晶系の原子配置に関する第一原理解析

〇(M2)松谷亮¹、末岡浩治¹、神山栄治^1,²、泉妻宏治²、鹿島一日児²、中塚理³ (1.岡山県大院情報系工, 2.グローバルウェーハズ, 3.名大院工)

09:30 〜 09:45

[11a-D7-3] 太陽電池用GeSiSn混晶系のバンドギャップに関する第一原理計算

〇(M2)須和亮¹、末岡浩治¹、神山栄治^1,²、泉妻宏治²、鹿島一日児²、中塚理³ (1.岡山県大院情報系工, 2.グローバルウェーハズジャパン, 3.名大院工)

09:45 〜 10:00

△ [11a-D7-4] Ge_1-x-ySi_xSn_y/Geヘテロ構造におけるエネルギーバンド構造の解明

〇山羽隆¹、加藤公彦¹、柴山茂久^1,²、浅野孝典^1,²、坂下満男¹、中塚理¹、財満鎭明^1,³ (1.名大院工, 2.学振特別研究員, 3.名大エコトピア)

10:00 〜 10:15

[11a-D7-5] GeSn薄膜形成におけるSn析出の挙動

〇塚本貴広¹、広瀬信光²、笠松章史²、三村高志²、松井敏明²、須田良幸¹ (1.東京農工大院工, 2.情報通信研究機構)

10:15 〜 10:30

[11a-D7-6] 固相成長法による高SnC組成Ge_1-_x-ySn_xC_y三元混晶薄膜の形成および結晶構造評価

〇小田裕貴¹、山羽隆¹、黒澤昌志^1,²、竹内和歌奈¹、坂下満男¹、中塚理¹、財満鎭明^1,³ (1.名大院工, 2.学振特別研究員, 3.名大エコトピア)

休憩（10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

△ [11a-D7-7] MOCVD法によるGe基板上でのGe_1-xSn_xエピタキシャル成長 (2)

〇須田耕平¹、木嶋隆浩¹、石原聖也¹、澤本直美¹、町田英明²、石川真人²、須藤弘²、大下祥雄³、小椋厚志¹ (1.明治大, 2.気相成長, 3.豊田工大)

11:00 〜 11:15

[11a-D7-8] Ge_1-xSn_xエピタキシャル層中の電気的活性な欠陥の挙動

〇竹内和歌奈¹、浅野孝典^1,²、坂下満男¹、中塚理¹、財満鎭明^1,³ (1.名大院工, 2.学振特別研究員, 3.名大エコトピア)

11:15 〜 11:30

[11a-D7-9] 原子状水素供給がGe₁₋_xSn_xエピタキシャル層の結晶性に及ぼす効果

〇藤浪俊介¹、浅野孝典^1,²、保崎航也¹、小山剛史¹、中塚理¹、岸田英夫¹、財満鎭明^1,³ (1.名古屋大院工, 2.学振（DC）, 3.名古屋大エコトピア)

11:30 〜 11:45

△ [11a-D7-10] Ge₁₋_xSn_xエピタキシャル層中の欠陥の電気的特性

〇浅野孝典^1,²、柴山茂久^1,²、竹内和歌奈¹、坂下満男¹、中塚理¹、財満鎭明^1,³ (1.名大院工, 2.学振DC, 3.エコトピア科学研究所)

一般セッション(口頭講演)

[11p-D7-1~14] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

2015年3月11日(水) 13:30 〜 17:15 D7 (16-207)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 13:45

[11p-D7-1] 絶縁基板上におけるGeSnの極低温固相成長 -高Sn濃度GeSnの形成-

〇松村亮^1,²、佐々木雅也¹、知北大典¹、甲斐友樹¹、佐道泰造¹、宮尾正信¹ (1.九大院システム情報, 2.学振特別研究員)

13:45 〜 14:00

[11p-D7-2] GeSn/ 絶縁基板の極低温種付け横方向固相成長法 (1) -種付け効果に与えるアイランド構造の影響 -

〇甲斐友樹¹、知北大典¹、松村亮^1,²、佐道泰造¹、宮尾正信¹ (1.九大院システム情報, 2.学振特別研究員)

14:00 〜 14:15

△ [11p-D7-3] GeSn/ 絶縁基板の極低温種付け横方向固相成長法 (2) -Sn 濃度の横方向分布 -

〇甲斐友樹¹、知北大典¹、松村亮^1,²、佐道泰造¹、宮尾正信¹ (1.九大院システム情報, 2.学振特別研究員)

14:15 〜 14:30

[11p-D7-4] GeSn/絶縁基板の極低温種付け横方向固相成長法（３） -パルスレーザーアニール・シーディングの検討-

〇松村亮^1,²、知北大典¹、佐道泰造¹、池上浩¹、宮尾正信¹ (1.九大院システム情報, 2.学振特別研究員)

14:30 〜 14:45

△ [11p-D7-5] 非晶質基板上ゲルマニウム薄膜の(111)面配向結晶化におけるレーザーアニール条件の検討

〇高尾透¹、堀田昌宏¹、仁枝嘉昭¹、石河泰明¹、浦岡行治¹ (1.奈良先端大)

14:45 〜 15:00

△ [11p-D7-6] レーザーアニールによるGe薄膜結晶化の熱拡散シミュレーション

〇仁枝嘉昭¹、堀田昌宏¹、高尾透¹、石河泰明¹、浦岡行治¹ (1.奈良先端大)

15:00 〜 15:15

[11p-D7-7] 非晶質SiおよびGe膜のFLA結晶化時の原子の振る舞いの差異

〇松尾直人¹、平野翔大¹、部家彰¹、中村祥章²、横森岳彦²、吉岡正樹² (1.兵庫県立大工, 2.ウシオ電機(株))

休憩（15:15 〜 15:30）

15:30 〜 15:45

[11p-D7-8] フレキシブル基板上への擬似単結晶Ge薄膜の形成

〇東英実¹、笠原健司²、工藤康平³、岡本隼人³、茂藤健太³、パクジョンヒョク²、山田晋也¹、金島岳¹、宮尾正信²、角田功³、浜屋宏平¹ (1.阪大基礎工, 2.九大シス情, 3.熊本高専)

15:45 〜 16:00

[11p-D7-9] 金誘起層交換成長法で作成した擬似単結晶Geの電気伝導特性

〇中野茉莉央¹、東英実¹、笠原健司²、山田晋也¹、金島岳¹、浜屋宏平¹ (1.阪大基礎工, 2.九大シス情)

16:00 〜 16:15

[11p-D7-10] 300℃以下プロセスで作製した結晶性GeチャネルTFT

〇笠原健司¹、永冨雄太²、山本圭介²、東英実³、中野茉莉央³、山田晋也³、金島岳³、中島寛²、浜屋宏平³ (1.九大シス情, 2.九大産学連携センター, 3.阪大基礎工)

16:15 〜 16:30

[11p-D7-11] ガラス上Ge薄膜のAl誘起成長におけるSn添加効果

〇(M1)大谷直生¹、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大院数理物質)

16:30 〜 16:45

[11p-D7-12] Ge(111)薄膜を利用したガラス上Geナノワイヤの均一合成

〇(B)中田充紀¹、都甲薫¹、Jevasuwan Wipakorn²、深田直樹²、末益崇¹ (1.筑波大院　数理物質, 2.物材機構)

16:45 〜 17:00

[11p-D7-13] 非晶質Ge薄膜のAu誘起成長に及ぼす熱処理温度の影響

〇工藤康平¹、野満建至¹、岡本隼人¹、高倉健一郎¹、角田功¹ (1.熊本高等専門学校)

17:00 〜 17:15

[11p-D7-14] 圧縮応力を印加した非晶質Ge薄膜のAu誘起成長

〇工藤和樹¹、酒井崇嗣¹、草野欽太¹、本山慎一²、楠田豊²、古田真浩²、中庸行³、沼田朋子³、高倉健一郎¹、角田功¹ (1.熊本高等専門学校, 2.サムコ, 3.堀場製作所)

一般セッション(口頭講演)

[12a-D5-1~8] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

2015年3月12日(木) 10:00 〜 12:00 D5 (16-205)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
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10:00 〜 10:15

[12a-D5-1] アモルファスGe上のサブ原子層カーボンの熱処理を用いたSi(100)基板上のGe薄膜形成

〇青山拓磨¹、伊藤友樹²、畠山真慈²、川島知之^1,²、鷲尾勝由^1,² (1.東北大工, 2.東北大院工)

10:15 〜 10:30

△ [12a-D5-2] C/Ge/Si(100)構造におけるサブ原子層カーボンとGe成長温度のGe薄膜形成への影響

〇(M2)伊藤友樹¹、畠山真慈¹、川島知之¹、鷲尾勝由¹ (1.東北大院工)

10:30 〜 10:45

[12a-D5-3] サブ原子層カーボンを用いたGeドットのSi-C結合形成温度依存性に関する検討

〇佐藤佑紀¹、伊藤友樹¹、川島知之¹、鷲尾勝由¹ (1.東北大院工)

10:45 〜 11:00

[12a-D5-4] Arイオン注入法を用いた圧縮歪みSi/緩和Si_1-xC_xヘテロ構造の作製

〇有澤洋¹、星裕介¹、藤原幸亮²、山中淳二²、有元圭介²、中川清和²、澤野憲太郎³、宇佐美徳隆¹ (1.名大院工, 2.山梨大クリスタル研, 3.都市大総研)

11:00 〜 11:15

△ [12a-D5-5] n-GeへのPデルタドーピングにおけるSi挿入によるその偏析抑制効果

〇山田道洋¹、澤野憲太郎²、植松真司¹、伊藤公平¹ (1.慶大理工, 2.都市大)

11:15 〜 11:30

[12a-D5-6] MBEを用いたSi(100)上2段階Ge薄膜成長における表面平坦化条件の検討

〇早瀬凌¹、伊藤友樹¹、川島知之¹、鷲尾勝由¹ (1.東北大院工)

11:30 〜 11:45

[12a-D5-7] 2段階成長単結晶Ge層の結晶性及び光学特性評価

〇小田克矢¹、奥村忠嗣¹、葛西淳一¹、井戸立身¹ (1.日立中研)

11:45 〜 12:00

[12a-D5-8] 極薄Al₂O₃/SiO₂ BOX層を有する貼り合わせGeOI基板の熱処理による電気特性改善

〇吉田啓資¹、中村芳明¹、竹内正太郎¹、守山佳彦^1,²、手塚勉²、酒井朗¹ (1.阪大院基礎工, 2.産総研グリーンナノエレクトロニクスセンター)

一般セッション(ポスター講演)

[12p-P17-1~7] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

2015年3月12日(木) 16:00 〜 18:00 P17 (総合体育館)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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16:00 〜 18:00

[12p-P17-1] 金内包キノコ型ナノ構造ゲルマニウム

〇青野祐美¹、阿部洋¹、宮﨑尚¹ (1.防大材料)

16:00 〜 18:00

[12p-P17-2] 高空間分解能HXPESとXPSによる歪み及び組成がSiGe価電子帯に与える影響の検出

〇山堀俊太¹、笹子知弥¹、米倉瑛介¹、澤野憲太郎¹、池永英司²、野平博司¹ (1.東京都市大工, 2.高輝度光科学研究センター)

16:00 〜 18:00

[12p-P17-3] イオン注入成長法で作製した圧縮歪みSi/Si_1-xC_x/Si(001)構造MOSFETの電気特性評価

〇中込諒¹、酒井翔一朗¹、藤原幸亮¹、有元圭介¹、山中淳二¹、中川清和¹、宇佐美徳隆²、星裕介²、澤野憲太郎³ (1.山梨大クリスタル研, 2.名古屋大学, 3.東京都市大総研)

16:00 〜 18:00

[12p-P17-4] 伸張歪みSi/緩和SiGe/Si(110)の表面モフォロジーへの成長速度の影響

〇宇津山直人¹、佐藤圭¹、有元圭介¹、山中淳二¹、中川清和¹、宇佐美徳隆²、澤野憲太郎³ (1.山梨大クリスタル研, 2.名古屋大, 3.東京都市大総研)

16:00 〜 18:00

[12p-P17-5] 歪みSi/Si1-xCx/Si(001)ヘテロ構造の結晶性と不純物活性化過程との関係

〇藤原幸亮¹、酒井翔一朗¹、小林昭太¹、有元圭介¹、山中淳二¹、中川清和¹、宇佐美徳隆²、星裕介²、澤野憲太郎³ (1.山梨大学クリスタル研, 2.名古屋大学, 3.東京都市大総研)

16:00 〜 18:00

[12p-P17-6] RFマグネトロンスパッタリング法により作製したSi_xC_1-x混晶薄膜の光学的・構造的特性

〇(M1)楠木厚毅¹、原広紀¹、勝俣裕¹ (1.明大理工)

16:00 〜 18:00

[12p-P17-7] Pのin-situドーピングにより作製したn型GOIの電気伝導特性

〇勝俣洋典¹、長嶋智典¹、浜屋宏平²、澤野憲太郎¹ (1.東京都市大工, 2.阪大基礎工)

セッション一覧

15 結晶工学 » 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[11a-D7-1~11] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [11a-D7-1] GGA+U 法による Si1-xSnx材料物性の精密予測

△ [11a-D7-4] Ge1-x-ySixSny/Geヘテロ構造におけるエネルギーバンド構造の解明

△ [11a-D7-7] MOCVD法によるGe基板上でのGe1-xSnxエピタキシャル成長 (2)

△ [11a-D7-10] Ge1−xSnxエピタキシャル層中の欠陥の電気的特性

[11p-D7-1~14] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [11p-D7-3] GeSn/ 絶縁基板の極低温種付け横方向固相成長法 (2) -Sn 濃度 の横方向 分布 -

△ [11p-D7-5] 非晶質基板上ゲルマニウム薄膜の(111)面配向結晶化におけるレーザーアニール条件の検討

△ [11p-D7-6] レーザーアニールによるGe薄膜結晶化の熱拡散シミュレーション

[12a-D5-1~8] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [12a-D5-2] C/Ge/Si(100)構造におけるサブ原子層カーボンとGe成長温度のGe薄膜形成への影響

△ [12a-D5-5] n-GeへのPデルタドーピングにおけるSi挿入によるその偏析抑制効果

[12p-P17-1~7] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

認証

△ [11a-D7-1] GGA+U 法による Si_1-xSn_x材料物性の精密予測

△ [11a-D7-4] Ge_1-x-ySi_xSn_y/Geヘテロ構造におけるエネルギーバンド構造の解明

△ [11a-D7-7] MOCVD法によるGe基板上でのGe_1-xSn_xエピタキシャル成長 (2)

△ [11a-D7-10] Ge₁₋_xSn_xエピタキシャル層中の欠陥の電気的特性

△ [11p-D7-3] GeSn/ 絶縁基板の極低温種付け横方向固相成長法 (2) -Sn 濃度の横方向分布 -