09:30 〜 09:45 △ [18a-Z27-3] GaNテンプレート基板のためのSi基板上無極性面AlN結晶成長の作製条件の検討 〇森田 雅也1,2、石橋 啓二3、高橋 健一郎3、知京 豊裕2、小椋 厚志1,4、長田 貴弘2 (1.明治大理工、2.物材機構、3.株式会社コメット、4.明大MREL)