17:15 〜 17:30 [16p-Z07-11] HfO2をゲート絶縁膜とする1.3 kV耐圧ノーマリーオフβ-Ga2O3 FinFET 〇脇本 大樹1、林 家弘1、ティユ クァン トゥ1、宮本 広信1、佐々木 公平1、倉又 朗人1 (1.ノベルクリスタルテクノロジー)