14:00 〜 14:50 [19p-P02-3] Ir触媒を用いたアルコールCVD法によるSiO2/Si基板上単層カーボンナノチューブ成長の成長温度依存性 〇(M1)山本 大貴1、サラマ カマル1、才田 隆広1、成塚 重弥1、丸山 隆浩1 (1.名城大理工)