14:45 〜 15:00 [16p-Z07-4] 高ゲート酸化膜電界印加時の電子捕獲がSiC MOSFETのVthに及ぼす影響 〇野口 宗隆1、小山 皓洋1、岩松 俊明1、網城 啓之1、渡邊 寛1、三浦 成久1 (1.三菱電機(株) 先端総研)