[16a-Z33-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[16a-Z33-1] [第5回薄膜・表面物理分科会論文賞受賞記念講演] 反応性スパッタによるSnO_x薄膜のキャリアの発生源と伝導機構

〇賈 軍軍¹、数金 拓巳²、中村 新一²、岡島 敏浩³、重里 有三² (1.早大国際理工、2.青学大理工、3.あいちシンクロトロン光センター)

キーワード：p型酸化物半導体、反応性スパッタ、非化学量論組成

これまでn型のIn₂O₃系、ZnO系、SnO₂系等の酸化物透明導電膜における化学量論組成比と電気特性に関する研究は幅広く行われてきた。また、p型酸化物透明導電膜に関して価電子帯がカチオンのs軌道と酸素2p軌道で混成されている高移動度の材料に関して報告されてきた。本研究では、自作した高速フィードバックシステムにより遷移領域で安定した成膜が可能な反応性スパッタ法を用いて、n型SnO₂からp型SnO薄膜にいたる様々な化学量論組成を持つSnO_x薄膜を作製し、p型SnO薄膜のキャリアの発生源及び伝導機構を検討した。