[16p-P01-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-P01-11] 2段階ウェットエッチング法における通電領域n-GaNの評価

〇金田 洸貴¹、高橋 遼¹、藤岡 洋²、前田 就彦¹ (1.東京工科大、2.東大生研)

キーワード：窒化ガリウム、陽極酸化

GaN系電子デバイスの低速・低損傷エッチング技術の開発を目的として、電気化学的に通電したn-GaNを通電後にウェットエッチングする2段階エッチング法を2019年に提案した。この方法における通電領域のn-GaNは被エッチングされる材料であるが、新たなデバイス応用への可能性も念頭に、この通電部分のn-GaNの材料物性を調べることは重要である。今回、通電領域全体が陽極酸化されていることをXPS評価により確認することができた。