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[16p-Z07-7] 界面制御による縦型パワーデバイス適用を目指したGaN MOSFET特性
キーワード:移動度、MOS界面、ミストCVD
高移動度化の阻害要因であるGa酸化層を抑制する為、O2プラズマ酸化より酸化能力の低いO3酸化を使ったミストCVD法を活用し、横型MOSFETを作成した。その結果、XPS分析より、MOS界面にはGa酸化層が検知されない事を確認し、更に、移動度(265.7 cm2/Vs)としきい値(4.8V)の高いレベルでの両立を実現した。この様に、ミストCVD法によって成膜したSiO2は、車載向けGaNパワーデバイスのゲート絶縁膜としてポテンシャルがあり、有力候補の一つである事を確認した。