[17a-Z27-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17a-Z27-5] OVPE-GaN（高濃度酸素添加GaN）結晶黒色化の起源

〇隅 智亮¹、滝野 淳一¹、岡山 芳央¹、北本 啓²、宇佐美 茂佳²、今西 正幸²、森 勇介² (1.パナソニック株式会社、2.大阪大学)

キーワード：窒化ガリウム、気相成長、着色結晶

縦型GaNパワーデバイスの電力損失削減のために、低抵抗n型GaN基板の作製がOやSiをドーピングすることで試みられている。一方でドーピング濃度を増加させると結晶が黒色に着色していた。今回、OVPE法により高キャリア濃度の様々な着色の結晶が得られ、着色の原因を突き止めるために、結晶の特性の分析を行った。吸収スペクトル、バンドテイル発生の理論を基に検討を行ったところ、Ga空孔欠陥や、複合欠陥が原因であると考えられる。