[17p-P06-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[17p-P06-3] ミストCVD成長におけるAlGaO混晶組成制御とAl原子の再脱離

〇太田 茉莉香¹、田中 一郎¹、宇野 和行¹ (1.和歌山大システム工)

キーワード：α-Ga2O3、α-(AlGa)2O3、ミストCVD法

α型酸化ガリウム(α-Ga₂O₃)は酸化ガリウムの準安定相であり、c面サファイア(α-Al₂O₃)基板上でミストCVD法を用いて薄膜成長が可能な半導体材料である。α-(AlGa)₂O₃混晶を用いてヘテロ接合を作製することで深紫外領域での光デバイス応用が期待される。今回は、ミストCVD成長におけるAlGaO混晶の組成制御とAlの再脱離および原料水溶液中のAlイオンの錯化状態との関係について報告する。