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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-Z27-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

2021年3月17日(水) 13:00 〜 17:00 Z27 (Z27)

ホームズマーク(東大)、市川修平(阪大)、大音隆男(山形大)

13:15 〜 13:30

[17p-Z27-2] 完全緩和した{11-22}InGaN下地層上の多重量子井戸の発光特性

〇俵迫湧也¹、河村澪²、西直矢²、原田裕也¹、ヌルファラナジハマザラン¹、岡田成仁²、倉井聡²、山田陽一²、只友一行² (1.山大工、2.山大院創成科学研)

キーワード：半導体、窒化インジウムガリウム