[17p-Z27-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [17p-Z27-6] SiO₂薄膜によるInGaN/GaN量子井戸を有する窒化物半導体の高効率発光

〇垣内 晴也¹、島ノ江 考平¹、松山 哲也¹、和田 健司¹、船戸 充²、川上 養一²、岡本 晃一¹ (1.阪府大工、2.京大工)

キーワード：窒化物半導体、高効率発光

InGaN/GaN量子井戸に基づく発光ダイオード(LED)の発光効率を改善するための様々な研究が行われてきたが、In組成の増加につれて発光効率が著しく減少し、緑色領域での高効率化が困難なグリーンギャップ問題は未だ残されている。我々は金属薄膜による表面プラズモン共鳴を用いた簡単・安価な高効率発光について報告してきたが、金属は損失も大きく緑色領域を増強するのに適した金属がないという問題がある。今回は、表面に金属の代わりにSiO2薄膜を成膜することで、特に緑色領域の発光効率が著しく改善されるという驚くべき現象を発見したので報告する。