[17p-Z28-1~14] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[17p-Z28-1] [第11回化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤﨑勇賞）受賞記念講演] 長波長帯光通信用化合物半導体の結晶成長技術に関する先駆的貢献

〇中嶋 一雄¹ (1.東北大)

キーワード：LPE成長、III-V 化合物半導体, 四元系平衡状態図、格子整合、InGaAsP, InGaAs APD, ダブルヘテロ構造