[17p-Z28-1~14] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

△ [17p-Z28-8] 1300nm帯長波長InAs量子ドットの改善とレーザ応用

〇藤澤 和輝¹、奥村 滋一¹、成毛 環美¹、西 研一¹、大西 裕¹、武政 敬三¹、菅原 充¹ (1.(株)QDレーザ)

キーワード：量子ドット、半導体レーザ

量子ドットレーザにおいて従来より長波長のレーザの特性を向上させるため、歪緩和層の成長条件を最適化し、活性層の改善を実現した。歪緩和層のIn組成やAs圧力を調整した試料をMBEで作製し、そのPL特性やレーザ特性を評価した。Inのみを変更するより、As圧力も調整した試料の方が、PL特性では発光強度が強く半値幅は狭くなった。レーザ特性は1320nmで発振し、特に85℃でAs圧力も調整した試料の方が飽和出力が伸び特性が向上した。