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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18a-Z24-1~9] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2021年3月18日(木) 09:00 〜 11:30 Z24 (Z24)

荒井昌和(宮崎大)、藤川紗千恵(埼玉大学)

09:30 〜 09:45

[18a-Z24-3] 成長レートを変調したGaAs/InGaAsコアーシェルナノワイヤの分子線エピタキシャル成長

〇吉川晃平¹、奥嶋正浩¹、石川史太郎¹ (1.愛媛大工)

キーワード：MBE