[18p-Z23-1~16] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

△ [18p-Z23-9] GaInN系量子殻LEDのEL特性

〇勝呂 紗衣¹、Lu Weifang¹、伊藤 和真¹、中山 奈々美¹、曽根 直樹³、奥田 廉士¹、宮本 義也¹、神野 幸美¹、山村 志織¹、上山 智¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、赤崎 勇² (1.名城大理工、2.名古屋大・赤崎記念研究センター、3.小糸製作所)

キーワード：ナノワイヤ、GaInN/GaN 多重量子殻活性層、ナノワイヤ発光ダイオード

我々の研究グループは、六角柱状の3次元結晶であるコアシェル型GaNナノワイヤ(NW)の研究を行っており、量子殻LEDは、NW上部のc面に多く発生する結晶欠陥起因と考えられる発光効率の悪い赤色発光が観察されていた。c面の結晶欠陥は、p-GaN殻の形状に影響を受けるため、p-GaN殻成長時のTMG流量を変化させ、形状が異なるp-GaN殻を用いたデバイス作製を行い、光学特性の比較検討を行った。