[18p-Z24-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[18p-Z24-13] 化学修飾XPS法によるウェハ直接接合における表面処理の影響評価

〇曹 健¹、池上 友佳子¹、伊藤 宜司¹、栂嵜 隆¹、藪原 秀彦¹ (1.東芝)

キーワード：ウェハ直接接合、化学修飾XPS

化学修飾XPS法によるシラノール基の定量分析を検討し、ウェハ直接接合で主に用いられる薬液処理とプラズマ処理に対するウェハ表面のシラノール基の形成状況、及び接合への影響を考察した結果を報告する。