[18p-Z33-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18p-Z33-11] β型Ga₂O₃(010)基板上(AlGa)₂O₃層の臨界膜厚

〇奥村 宏典¹ (1.筑大院数理)

キーワード：Ga2O3、MBE、臨界膜厚

プラズマ援用分子線エピタキシ法を用いてβ型Ga₂O₃ (010)基板上に結晶成長した(AlGa)₂O₃層の臨界膜厚について調べた。本研究は、旭硝子財団の助成を受けて行われた。