[19a-Z24-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[19a-Z24-2] ミニマルAlN反応性スパッタ装置の成膜特性 (2)

〇野田 周一¹、薮田 勇気³、山本 直子³、亀井 龍一郎³、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ推進機構、3.誠南工業)

キーワード：AlN、反応性スパッタ、ミニマルファブ

高い到達真空度と高温プロセスを可能としたミニマル反応性スパッタ装置によるAlN成膜を行っている。前回、光学特性（屈折率）が単結晶AlNに近い良好な膜質が得られることを確認したが、c軸に優先的に配向するものの結晶配向性は不十分であった。今回、より精密な条件最適化を行った。その結果、結晶配向性は放電時のターゲット電圧に依存し、電圧が低いほど配向性が向上し、ロッキングカーブで6°以下の値が得られた。