[19a-Z33-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19a-Z33-2] 高温度アニール処理したSiドープβ-Ga₂O₃(010)単結晶の電気特性評価

〇中野 由崇¹、豊留 彬¹、鈴木 陸¹、安田 優綺¹ (1.中部大工)

キーワード：酸化ガリウム、欠陥準位、アニール

高温度で真空中及び酸素中アニール処理したSiドープβ-Ga₂O₃(010)単結晶をC-V法, 光容量分光法, PL法等を用いて電気的に評価し、導入される固有欠陥準位の生成挙動を検討した。