[19p-P02-1~22] 17 ナノカーボン(ポスター)

[19p-P02-1] Ir 触媒を用いたホットウォール CVD 法による Si 基板上への単層カーボンナノチューブの成長

〇(P)三崎 亜衣¹、丸山 隆浩^1,2 (1.名城大ナノマテ研、2.名城大理工)

キーワード：カーボンナノチューブ

我々の研究室ではこれまで、コールドウォールCVD法によるIr触媒からの単層カーボンナノチ ューブ（SWCNT）成長を報告してきた。今回，コスト的に有利なホットウォールCVD法を用い て、Si基板上に堆積させたIr触媒からのSWCNT成長を試みた。特にエタノールの流量と成長温度 が SWCNT成長に与える影響について調べた。 成長温度が 800°C を超えると、垂直に配列した SWCNT が成長し、900°C では、エタノール流量 500 sccm 下で 60 分間の成長後，SWCNT 膜は厚さが 1.8 μm に達した。 本結果から、成長温度を 800℃にすることでホットウォール CVD 法を用いても Ir 触 媒から細径の SWCNT が垂直配向して成長することが示された。