^○林佑紀¹，中山智詞¹，青木裕介¹，丸山美帆子¹，高橋義典¹，吉川洋史^1,2，岡田詩乃³，安達宏昭^1,3，杉山成⁴，高野和文^3,5，村上聡^3,6，松村浩由^1,3，井上豪^1,3，吉村政志¹，森勇介^1,3 (阪大院工¹，埼玉大院理工²，創晶³，阪大院理⁴，京府大院生命環境⁵，東工大院生命理工⁶)

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15．結晶工学 » 15.1 バルク結晶成長

[30a-G19-1~10] 15.1 バルク結晶成長

[30a-G19-1] REF₃単結晶の育成及び特性評価 (9:00 AM ～ 9:15 AM)

[30a-G19-2] LiSrAlF₆シンチレータ結晶における共添加の効果 (9:15 AM ～ 9:30 AM)

[30a-G19-3] △Ce:(La_x, Lu_y, Gd_1-x-y)₂Si₂O₇結晶の開発 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

[30a-G19-4] 形状制御Ce:YAG結晶の育成と放射線線量計開発 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

[30a-G19-5] Ca₃NbGa₃Si₂O₁₄圧電結晶におけるAl置換効果 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

[30a-G19-6] ▲Investigation on solid solution range of langasite-type crystals with four elements (10:15 AM ～ 10:30 AM)

[30a-G19-7] Ｍｎ添加スピネル結晶のＸ線蛍光体特性 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

[30a-G19-8] ルビーおよびスピネル結晶の切断研磨に伴う発光 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

[30a-G19-9] ニオブ酸リチウムのキュリー点及び格子定数に及ぼす不純物の影響 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

[30a-G19-10] 四ホウ酸リチウムの一方向成長における双晶界面形成 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

[30p-G19-1~7] 15.1 バルク結晶成長

[30p-G19-0] 昼食(90分)

[30p-G19-1] 赤外線集中加熱浮遊帯域溶融(IR-FZ)法で育成したSi結晶中の炭素不純物の低減 (1:00 PM ～ 1:15 PM)

[30p-G19-2] CaSi₂多結晶の組織制御 (1:15 PM ～ 1:30 PM)

[30p-G19-3] B₂O₃で覆われた融液からのCZ-Ge結晶育成における酸素の偏析 (1:30 PM ～ 1:45 PM)

[30p-G19-4] フラックス法による高品質なAgGaSe₂単結晶の育成 (1:45 PM ～ 2:00 PM)

[30p-G19-5] 交流電場印加による高品質正方晶リゾチームの育成 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

[30p-G19-6] コロイド結晶化における不純物分配過程 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

[30p-G19-7] 大型高品質タンパク質結晶育成に向けた溶液撹拌技術の検討～成長速度と結晶品質の流速依存性～ (2:30 PM ～ 2:45 PM)