^○大島武¹，小野田忍¹，牧野高紘¹，岩本直也¹，Brett Johnson²，Alex Lohrmann²，T Karle²，Jeffrey Mccallum²，Stefania Castelletto³，梅田享英⁴，佐藤嘉洋⁴，朱煜偉⁴，V Ivady⁵，Adam Gali⁵，春山盛善^1,6，加田渉⁶，花泉修⁶ (原子力機構¹，メルボルン大²，RMIT大³，筑波大数理物質系⁴，ハンガリー科学アカデミー⁵，群馬大理工⁶)

09:30 〜 09:45

▲ [18a-A17-3] Evaluation of stacking faults in 4H-SiC single crystal by using KOH etching on non-polar {1-100} face and cathodoluminescence

^○姚永昭¹，石川由加里¹，菅原義弘¹，佐藤功二¹，白井嵩幸²，旦野克典²，坂元秀光²，佐藤和明²，別所毅²，ベンジャミンディエレ³，渡辺健太郎³，関口隆史³ (ファインセラミックスセンター¹，トヨタ自動車²，物材研³)

09:45 〜 10:00

[18a-A17-4] 分子動力学法による4H-SiCのらせん転位解析

^○（M2）水谷充利¹，河村貴宏¹，鈴木泰之¹，寒川義裕²，柿本浩一² (三重大院工¹，九大応力研²)

10:00 〜 10:15

[18a-A17-5] ミラー電子顕微鏡による貫通転位-表面ナノグルーブ対構造の観察

^○一色俊之¹，長谷川正樹² (京都工芸繊維大¹，日立中研²)

10:15 〜 10:30

[18a-A17-6] 積層欠陥の拡大収縮にともなう4H-SiC中部分転位の運動

^○山下善文，下村拓也，西川亘，林靖彦 (岡山大院自然)

10:30 〜 10:45

[18a-A17-7] X線トポグラフィによる4H-SiCエピ層中の積層欠陥の評価

^○野網健悟，永井哲也，中居克彦，二木登史郎 (日鉄住金テクノロジー)

休憩10:45～11:00 （10:45 〜 11:00）

11:00 〜 11:15

[18a-A17-8] SiC 光電極の分光感度特性

^○加藤正史，三宅景子，市村正也 (名工大)

11:15 〜 11:30

[18a-A17-9] 光電極応用に向けたp型SiCエピタキシャル層の欠陥評価

^○加藤正史¹，中野由崇² (名工大¹，中部大²)

11:30 〜 11:45

[18a-A17-10] 3C-SiC表面の水分解素過程に関する第一原理解析

^○新池一央，鶴田健二，石川篤 (岡山大院自然)

11:45 〜 12:00

△ [18a-A17-11] 高安定・高効率な水の光電気分解に向けたp型3C-SiC電極の開発

^○赤羽俊之輔¹，Jun Tae Song¹，Renato Goes Amici¹，三宅景子²，加藤正史²，岩崎孝之¹，波多野睦子¹ (東工大¹，名工大²)

12:00 〜 12:15

▼ [18a-A17-12] Photoelectrochemical CO₂ reduction on 3C-SiC photo-anode

^〇Jun Tae Song，Shunnosuke Akabane，Renato Goes Amici，Takayuki Iwasaki，Mutsuko Hatano (Tokyo Inst. of Tech.)

12:15 〜 12:30

[18a-A17-13] SiCの陽極酸化プロセスにおける光照射に関する検討

^○（M1）日高公崇香¹，渡和樹¹，岩谷素顕¹，上山智¹，赤﨑勇^1,2 (名城大理工¹，赤﨑記念研究センター²)

一般セッション(口頭講演)

[18p-A17-1~12] 15.6 IV族系化合物

2014年9月18日(木) 14:00 〜 17:15 A17 (E308)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

昼食12:30～14:00 （12:30 〜 14:00）

14:00 〜 14:15

[18p-A17-1] ATR-FTIR法を用いたSiC基板上La2O3とSiNとの界面反応の解析

^○雷一鳴¹，宗清修¹，角嶋邦之²，川那子高暢²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，山川聡³，岩井洋¹，古橋壮之³，三浦成久³，名取研二¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²，三菱電機³)

14:15 〜 14:30

[18p-A17-2] 光電子収率分光法によるSiO₂/SiC界面の電子状態計測

^○大田晃生¹，竹内大智²，チュングェンスァン²，牧原克典²，宮崎誠一² (名大VBL¹，名大院工²)

14:30 〜 14:45

[18p-A17-3] SiC表面における酸化初期過程に関する理論的研究

^○伊藤綾子¹，秋山亨¹，中村浩次¹，伊藤智徳¹，白石賢二²，影島博之³，植松真司⁴ (三重大院工¹，名大院工²，島根大院理工³，慶大理工⁴)

14:45 〜 15:00

[18p-A17-4] 4H-SiC MOS界面窒化処理における窒素ドーピングのESR定量

^○梅田享英¹，佐藤嘉洋¹，佐久間由貴²，小杉亮治² (筑波大¹，産総研²)

15:00 〜 15:15

△ [18p-A17-5] 4H-SiC(0001)面のウェット酸化における水分子の役割

^○永井大介，細井卓司，志村孝功，渡部平司 (阪大院工)

15:15 〜 15:30

△ [18p-A17-6] カソードルミネッセンス法による熱酸化 SiO₂ /SiC 構造の評価

^○福島悠太，Furkan Alan，樋口直樹，Atthawut Chanthaphan，細井卓治，志村考功，渡部平司 (阪大院工)

15:30 〜 15:45

△ [18p-A17-7] DLTS法による窒化後酸化SiC-MOSFETの界面準位評価

^○長谷川淳一¹，須藤建瑠¹，岩崎孝之¹，小寺哲夫¹，古橋壮之²，野口宗隆²，中田修平²，西村正¹，波多野睦子¹ (東工大¹，三菱電機²)

休憩15:45～16:00 （15:45 〜 16:00）

16:00 〜 16:15

[18p-A17-8] シリコン表面における炭化珪素薄膜の室温形成

廣岡亜純，塩田耕平，津地雅希，^○羽深等 (横国大院工)

16:15 〜 16:30

[18p-A17-9] アルミニウム表面における炭化珪素薄膜の室温形成

^○廣岡亜純，塩田耕平，津地雅希，羽深等 (横国大院工)

16:30 〜 16:45

[18p-A17-10] 耐三フッ化塩素保護膜形成法(2)

^○松田仁美，羽深等，石田夕起，大野俊之 (横国大院工)

16:45 〜 17:00

[18p-A17-11] ClF₃ガスによるSiCウエハエッチング速度挙動

^○中込健¹，矢島大里¹，羽深等¹，加藤智久² (横国大院工¹，産総研²)

17:00 〜 17:15

[18p-A17-12] 三フッ化塩素ガスによるSiC成膜装置クリーニング法(2)

^○水野浩輔¹，福元裕介¹，羽深等¹，石田夕起²，大野俊之³ (横国大院工¹，産総研²，FUPET³)

一般セッション(ポスター講演)

[19a-PB5-1~17] 15.6 IV族系化合物

2014年9月19日(金) 09:30 〜 11:30 PB5 (第2体育館)

ポスター掲示時間9:30～11:30(PB5会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-1] 自然酸化膜付Si 基板上へのモノメチルシランを用いたSiC薄膜高速成長

^○成田克¹，山田晋平¹，髙野昌伸¹，早尾貴史¹，中島健介¹，末光眞希² (山形大工¹，東北大通研²)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-2] 多方向走査透過電子顕微鏡法によるSiCの転位解析

^○佐藤高広¹，大津喜宏²，生頼義久¹，一色俊之³，福井宗利¹ (日立ハイテクノロジーズ¹，日立ハイテクマニュファクチャ＆サービス²，京都工芸繊維大³)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-3] フェムト秒レーザーを照射した6H-SiC基板の表面評価

^○宮川鈴衣奈，岡本淳祐，江龍修 (名工大院)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-4] プラズマ発生領域制限マスクを用いたPCVM (Plasma Chemical Vaporization Machining) によるSiC基板のダイシングの検討 - ベースガスとしてArを用いた検討 -

^○岡田悠，田尻光毅，佐野泰久，松山智至，山内和人 (阪大院)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-5] EBSDパターン明瞭度を用いたリン注入4H-SiC層の結晶性評価

^○花房宏明，丸山圭祐，林将平，東清一郎 (広大院先端研)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-6] 大気圧熱プラズマジェット照射急速熱処における4H-SiC中の不純物活性化と冷却速度制御

^○丸山佳祐，花房宏明，村上秀樹，林将平，東清一郎 (広島大院先端物質)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-7] 大気圧熱プラズマジェット照射による4H-SiC上SiO₂堆積膜の改善

^○石丸凌輔，花房宏明，丸山佳祐，廣松志隆，林将平，東清一郎 (広大院先端研)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-8] SiC上に堆積したTEOS-SiO₂膜の電気的特性

^○前田貫太，蓮沼隆，山部紀久夫 (筑波大)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-9] NF₃添加酸化によるSiC熱酸化膜中のC脱離

^○（M2）名越政仁，蓮沼隆，山部紀久夫 (筑波大)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-10] SiC熱酸化膜の深さ方向密度分布

^○林真理子，蓮沼隆，山部紀久夫 (筑波大)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-11] SiC酸化へのArアニール導入による酸化膜成長速度の変化

^○今野良太郎，八木修平，土方泰斗，矢口裕之 (埼玉大院理工)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-12] 4H-SiC(0001)表面酸化過程の動的シミュレーションおよび第一原理解析

^○山崎隆浩^1,2，小山洋^2,3，奈良純^1,2，清水達雄⁴，加藤弘一⁴，大野隆央^1,2,5 (物材機構¹，高効率電デバコンソーシアム²，高度情報³，東芝研究開発センター⁴，東大生産研⁵)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-13] AR-XPS による 4H-SiC の初期酸化過程の解明 (Ⅱ)

^○笹子知弥，荒井仁，野平博司 (都市大)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-14] 4H-SiC熱酸化膜の膜中親水基発生によるCV特性の変化

^○佐藤旦¹，黒木伸一郎¹，石川誠治²，前田知徳²，瀬崎洋²，吉川公麿¹ (広島大ナノデバイス¹，フェニテックセミコン²)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-15] 4H-SiC ショットキーダイオードにおけるイオン誘起破壊前兆現象メカニズムの検討

^○牧野高紘¹，出来真斗²，小野田忍¹，星乃紀博³，土田秀一³，大島武¹ (原子力機構¹，徳島大²，電中研³)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-16] ドリフト層濃度分布最適化による低抵抗SiC-SBDの実現

^○富永貴亮，小山皓浩，田中貴規，渡邊寛，冨田信之，山川聡 (三菱電機)

09:30 〜 11:30

[19a-PB5-17] ガンマ線照射したSiC-MOSFETの特性の安定性

^○横関貴史^1,2，牧野高紘²，阿部浩之²，小野田忍²，大島武²，田中雄季³，神取幹郎³，吉江徹³，土方泰斗¹ (埼玉大院理工研¹，原子力機構²，サンケン電気³)

セッション一覧

15．結晶工学 » 15.6 IV族系化合物

[17a-A17-1~13] 15.6 IV族系化合物

▲ [17a-A17-3] The investigation of step structure with different TSDs conversion behavior during 4H-SiC solution growth

△ [17a-A17-4] SiC溶液成長法における種結晶形状の成長表面への影響と貫通らせん転位変換

△ [17a-A17-8] 1度オフ4H-SiC Si面エピタキシャル成長における積層欠陥密度の低減

[17p-A17-1~14] 15.6 IV族系化合物

△ [17p-A17-6] 紫外光照射によるSiC基板表面への正孔供給を用いたゲート負電圧印加時の絶縁膜信頼性の評価手法

△ [17p-A17-7] イオン照射を行った4H-SiC MOSFETにおける絶縁破壊電界

△ [17p-A17-11] 大気圧窒素プラズマ中レーザー照射による4H-SiC中への窒素ドーピング

[18a-A17-1~13] 15.6 IV族系化合物

▲ [18a-A17-3] Evaluation of stacking faults in 4H-SiC single crystal by using KOH etching on non-polar {1-100} face and cathodoluminescence

△ [18a-A17-11] 高安定・高効率な水の光電気分解に向けたp型3C-SiC電極の開発

▼ [18a-A17-12] Photoelectrochemical CO2 reduction on 3C-SiC photo-anode

[18p-A17-1~12] 15.6 IV族系化合物

△ [18p-A17-5] 4H-SiC(0001)面のウェット酸化における水分子の役割

△ [18p-A17-6] カソードルミネッセンス法による熱酸化 SiO2 /SiC 構造の評価

△ [18p-A17-7] DLTS法による窒化後酸化SiC-MOSFETの界面準位評価

[19a-PB5-1~17] 15.6 IV族系化合物

▼ [18a-A17-12] Photoelectrochemical CO₂ reduction on 3C-SiC photo-anode

△ [18p-A17-6] カソードルミネッセンス法による熱酸化 SiO₂ /SiC 構造の評価